正硅酸钇（Y2SiO5）单晶体是一种良好的光学和激光基质材料。掺入稀土元素或过渡元素的正硅酸钇单晶体在激光技术、光学技术中有广泛的应用前景，如做近红外激光器的晶体工作物质，做被动Q开关元件，做射线探测器等。特别是近年来，掺镨（Pr)、掺铕（Eu） 或掺铈（Ce)的正硅酸钇单晶在做光速减慢和光谱烧孔实验中显示出特有的很好性能，它们是在非线性光学研究、光计算和存储器件应用研究时优选的材料。
主要技术参数 | |
晶 系 | 单斜晶系 C2h-C/m |
晶格常数 | a=12.5013 ,b=6.7282 , c=10.4217 ,β=102.68° |
密度 | 4.44g/cm2 |
熔点 | 约2000℃ |
生长方法 | 提拉法 |
可提供纯的，掺Pr、掺Eu或掺铈Ce的单晶元件，或可按客户的要求提供掺其它杂质的单晶元件。 | |
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