氧化锆(ZrO2)单晶基片是较早期被开发应用的高温超导基片之一。由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低,特别适于用在试验性薄膜制备工作中。氧化锆也是制作双晶基片(用于高温超导结构技术)的良好材料。
主要技术参数 | |
晶系 | 立方晶系 |
晶格常数(Å) | a=5.147 |
熔点(℃) | 2700 |
密度(g/cm3) | 6.0 |
莫氏硬度 | 8-8.5 |
热膨胀系数(/℃) | 10.3x10-6 |
介电常数 | ε=27 |
特点 | 价格较低 |
生长方法 | 弧熔法 |
基片规格 | |
尺寸: | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, |
Ф15,Ф25等 | |
厚度: | 0.5mm,1.0mm等 |
尺寸公差: | <±0.1mm |
厚度公差: | <±0.015mm(特殊要求可达到<±0.005mm) |
表面抛光: | 单面或双面 |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°(特殊要求可达1°以内) |
取向: | <100>,<110>,<111>等 |
斜切晶片: | 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°~ 45°)的晶片 |
Ra: | ≤5Å(5µm×5µm) |
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