氧化锆（ZrO2）单晶基片是较早期被开发应用的高温超导基片之一。由于ZrO2单晶需掺入钇（Y）以稳定其结构， 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好，价格较低，特别适于用在试验性薄膜制备工作中。氧化锆也是制作双晶基片（用于高温超导结构技术）的良好材料。
主要技术参数 | |
晶系 | 立方晶系 |
晶格常数（Å） | a=5.147 |
熔点（℃） | 2700 |
密度（g/cm3） | 6.0 |
莫氏硬度 | 8-8.5 |
热膨胀系数（/℃） | 10.3x10-6 |
介电常数 | ε=27 |
特点 | 价格较低 |
生长方法 | 弧熔法 |
基片规格 | |
尺寸: | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
Ф15,Ф25等 | |
厚度: | 0.5mm，1.0mm等 |
尺寸公差： | <±0.1mm |
厚度公差： | <±0.015mm(特殊要求可达到<±0.005mm) |
表面抛光: | 单面或双面 |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
取向: | ＜100＞，＜110＞，＜111＞等 |
斜切晶片： | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°～ 45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
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